由聯(lián)盟成員單位賽邁科材料股份有限公司牽頭，聯(lián)合北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司、湖南三安半導(dǎo)體有限公司、山東大學(xué)、中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所聯(lián)合提出的《碳化硅襯底晶體生長用石墨構(gòu)件純度測(cè)定方法》團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)提案，經(jīng)CASAS管理委員會(huì)投票獲得通過，2023年11月20日正式立項(xiàng)，并分配標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)：T/CASAS 036。
秘書處將向CASAS正式成員發(fā)出征集起草單位的通知，組建標(biāo)準(zhǔn)起草小組，請(qǐng)CASAS正式成員關(guān)注秘書處郵件（[email protected]）。
T/CASAS 036—20XX《碳化硅襯底晶體生長用石墨構(gòu)件純度測(cè)定方法》描述了碳化硅襯底晶體生長用石墨構(gòu)件純度測(cè)定的原理、試驗(yàn)環(huán)境、儀器設(shè)備、試劑與材料、試樣、試驗(yàn)步驟、試驗(yàn)結(jié)果、試驗(yàn)報(bào)告及質(zhì)量控制的方法。適用于碳化硅襯底晶體生長用石墨構(gòu)件純度（≥99.9995 wt%）的測(cè)定,單個(gè)元素含量測(cè)定范圍為0.01 mg/kg～5 mg/kg。
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