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      第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟團體標(biāo)準被評為高質(zhì)量團體標(biāo)準

      2023-11-22

            10 月 12 日,“美好世界的共同愿景,標(biāo)準塑造美好生活”紀念世界標(biāo)準日活動在北京歌華開元酒店舉行。由北京第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟發(fā)布的T/CASAS 015—2022《碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(SiC MOSFET)功率循環(huán)試驗方法》團體標(biāo)準被北京標(biāo)準化協(xié)會評為2023 年度高質(zhì)量團體標(biāo)準。

            T/CASAS 015—2022《碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(SiC MOSFET)功率循環(huán)試驗方法》規(guī)定了碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(SiC MOSFET)功率循環(huán)試驗方法,評價器件在承受規(guī)定應(yīng)力的條件下是否符合規(guī)定的循環(huán)次數(shù)。對于提升SiC MOSFET器件的可靠性評價與分析技術(shù)能力,支撐SiC MOSFET器件的可靠性改進具有重要意義。


      -----文章轉(zhuǎn)自CASA-----

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