9月23日，國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（以下簡稱國創(chuàng)中心）在京召開屆理事會(huì)次會(huì)議，標(biāo)志著國創(chuàng)中心正式邁入實(shí)際運(yùn)行階段?？萍疾坑嘘P(guān)領(lǐng)導(dǎo)，北京、山西、湖南、江蘇、深圳等地方政府負(fù)責(zé)同志，中國電子科技集團(tuán)有限公司（以下簡稱中國電科）主要負(fù)責(zé)同志出席會(huì)議。
會(huì)議審議了國創(chuàng)中心《理事會(huì)章程》《建設(shè)運(yùn)行方案》《2022年工作重點(diǎn)及目標(biāo)》《第三代半導(dǎo)體躍升工程行動(dòng)計(jì)劃（建議稿）》，審議通過了屆理事長、副理事長、理事，專家委員會(huì)主任、成員，國創(chuàng)中心主任人選，并聽取了國創(chuàng)中心前期工作匯報(bào)。
國創(chuàng)中心由科技部批復(fù)同意建設(shè)，旨在瞄準(zhǔn)國家戰(zhàn)略需求，統(tǒng)籌全國優(yōu)勢(shì)力量，聚焦第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵核心技術(shù)和重大應(yīng)用方向，推進(jìn)各類相關(guān)創(chuàng)新主體和創(chuàng)新要素有效協(xié)同，輸出高質(zhì)量科技創(chuàng)新成果，培育發(fā)展新動(dòng)能,推動(dòng)我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力整體躍升。
國創(chuàng)中心按照“一體統(tǒng)籌規(guī)劃、多地分布布局、協(xié)同聯(lián)動(dòng)創(chuàng)新”和“存量帶動(dòng)增量”的建設(shè)思路，在科技部的統(tǒng)一指導(dǎo)下，由中國電科與相關(guān)省市協(xié)商設(shè)立，布局深圳、南京、蘇州、湖南、山西、北京等六個(gè)區(qū)域中心，有效銜接政府支持和企業(yè)需求，聯(lián)合行業(yè)龍頭企業(yè)，協(xié)同全國50余家科研機(jī)構(gòu)，初步形成了“核心+基地+網(wǎng)絡(luò)”的創(chuàng)新格局。目前，已聚集第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域多個(gè)院士團(tuán)隊(duì)，行業(yè)領(lǐng)軍人才50余名，形成500多人規(guī)模的專職團(tuán)隊(duì)，聚焦產(chǎn)業(yè)鏈薄弱環(huán)節(jié)重點(diǎn)發(fā)力，取得了階段性進(jìn)展和成效。
會(huì)議以“現(xiàn)場+視頻”形式舉行。北京、山西、江蘇、湖南、深圳、南京、蘇州等地有關(guān)部門負(fù)責(zé)人，國創(chuàng)中心相關(guān)建設(shè)單位負(fù)責(zé)人參加會(huì)議。
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