助力“新基建”提速 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)需“錯位發(fā)展”防泡沫
“新基建”是近期熱詞之一。國家發(fā)改委近日首次明確基礎(chǔ)設(shè)施的范圍——基礎(chǔ)設(shè)施是以新發(fā)展理念為引領(lǐng)，以技術(shù)創(chuàng)新為驅(qū)動，以信息網(wǎng)絡(luò)為基礎(chǔ)，面向高質(zhì)量發(fā)展需要，提供數(shù)字轉(zhuǎn)型、智能升級、融合創(chuàng)新等服務(wù)的基礎(chǔ)設(shè)施體系。
“在以5G、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等為代表的‘新基建’主要領(lǐng)域中，第三代半導(dǎo)體均可發(fā)揮重要作用?！?北京大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體研究中心沈波教授介紹道,第三代半導(dǎo)體即寬禁帶半導(dǎo)體，以碳化硅和氮化鎵為代表，具備高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射能力強等性能，是支撐移動通信、新能源汽車、高速軌道列車、能源互聯(lián)網(wǎng)等產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展和轉(zhuǎn)型升級的重點核心材料和電子元器件。
沈波解釋說，相比于目前在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域依然占主流地位的傳統(tǒng)硅基器件，第三代半導(dǎo)體功率電子器件可使電子和電器設(shè)備進一步高效化、小型化、智能化。例如，耐高壓、大電流、低損耗的碳化硅基功率電子器件及模塊，可大規(guī)模應(yīng)用于智能電網(wǎng)、高速軌道交通、新能源汽車等領(lǐng)域；高效率、小體積、中低壓的氮化鎵基功率電子器件及模塊，則可大規(guī)模應(yīng)用于通用電源，如大數(shù)據(jù)中心、移動通信基站、物聯(lián)網(wǎng)終端設(shè)備的電源，以及手機、筆記本電腦的電源適配器、無線快充電源等領(lǐng)域，具有巨大技術(shù)優(yōu)勢和市場空間。
其中，第三代半導(dǎo)體射頻電子器件在民用和軍用領(lǐng)域都已實現(xiàn)規(guī)?；瘧?yīng)用。尤其是，由于具備高頻、高功率、大帶寬的性能優(yōu)勢，氮化鎵射頻電子器件和模塊在5G移動通信基站建設(shè)中發(fā)揮著不可替代的作用，我國5G建設(shè)提速，將觸發(fā)對氮化鎵射頻電子器件需求的快速增長。
放眼，2019年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整體處于低迷期，但第三代半導(dǎo)體技術(shù)、產(chǎn)品、市場、投資均呈現(xiàn)較高增長態(tài)勢，龍頭企業(yè)紛紛加強在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的布局，通過調(diào)整業(yè)務(wù)領(lǐng)域，擴大產(chǎn)能供給，整合并購，增強競爭能力。相比之下，我國第三代半導(dǎo)體功率電子和射頻電子產(chǎn)業(yè)處于起步階段，已初步形成從材料、器件到應(yīng)用的全產(chǎn)業(yè)鏈，但整體技術(shù)水平還落后世界頂尖水平3—5年，亟須突破材料、器件、封裝及應(yīng)用等環(huán)節(jié)的核心關(guān)鍵技術(shù)和可靠性、一致性等工程化應(yīng)用問題。
“‘新基建’提速為我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供了寶貴機遇，國內(nèi)市場對第三代半導(dǎo)體材料和器件的需求快速提升，終端應(yīng)用企業(yè)也在調(diào)整供應(yīng)鏈，扶持國內(nèi)企業(yè)，此前難以進入供應(yīng)鏈的產(chǎn)業(yè)鏈上中游產(chǎn)品將獲得下游用戶驗證機會，進入多個關(guān)鍵廠商供應(yīng)鏈。”第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展戰(zhàn)略聯(lián)盟秘書長于坤山說。
近日發(fā)布的《第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展報告（2019年）》預(yù)測，2024年我國第三代半導(dǎo)體電力電子器件應(yīng)用市場規(guī)模將近200億元，未來5年復(fù)合增長率超過40%。
面對難得機遇，于坤山建議，我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)更應(yīng)腳踏實地，行穩(wěn)致遠?！斑^去幾年政策資源大量傾斜，多地將第三代半導(dǎo)體列為重點支持產(chǎn)業(yè)，多措并舉招攬項目，也造成了一些低水平的重復(fù)。鑒于此，各地在大力支持產(chǎn)業(yè)發(fā)展的同時，還需關(guān)注協(xié)調(diào)、錯位發(fā)展，做好項目甄別，結(jié)合地方已有產(chǎn)業(yè)、人才和資源優(yōu)勢，考慮財政承載力和政策成本收益率，因地制宜配套政策?！?/p>
此外，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)近兩年市場高速增長主要得益于國家對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化的大力提倡所獲得的資本進入，以及碳化硅、氮化鎵器件在新能源汽車、5G、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域的新應(yīng)用，但當前經(jīng)濟下行導(dǎo)致消費電子、汽車乃至工業(yè)電機等各類產(chǎn)品市場下滑，出口受阻，下游需求萎縮，“行業(yè)應(yīng)苦練內(nèi)功，不斷提升產(chǎn)品性能和競爭力，深挖創(chuàng)新性應(yīng)用，在拓展增量市場的同時不斷擴展在存量市場的滲透率，促進第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)良性、可持續(xù)發(fā)展，同時還要面對‘為搶占先機超前投入，但市場的啟動往往低于預(yù)期’這一矛盾，把握好產(chǎn)業(yè)發(fā)展的節(jié)奏?！庇诶ど綇娬{(diào)。（記者 操秀英）
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