LED芯片是半導(dǎo)體發(fā)光器件LED的核心部件，LED放光的原理主要在于LED芯的P-N結(jié)。一般來說，半導(dǎo)體晶片是由兩部分組成。一部分是P型半導(dǎo)體，在它里面空穴占主導(dǎo)地位，另一端是N型半導(dǎo)體，在這邊主要是電子。但這兩種半導(dǎo)體連接起來的時候，它們之間就就形成了一個P-N結(jié)（LED電視）。
當(dāng)電流通過導(dǎo)線作用于這個晶片的時候，電子就會被推向P區(qū)，在P區(qū)里電子跟空穴復(fù)合，然后就會以光子的形式發(fā)出能量，而光的波長也就是光的顏色，是由形成P-N結(jié)的材料決定的（LED顯示器）。
新黎明科創(chuàng)LED防爆燈
一、LED防爆燈芯片的特點：
1、四元芯片，采用MOVPE工藝制備，亮度相對于常規(guī)芯片要亮。
2、信賴性優(yōu)良。
3、應(yīng)用廣泛。
4、安全性高。
5、壽命長。
二、LED防爆燈芯片的重要參數(shù)：
1.LED芯片正向工作電流If：
它是指發(fā)光二體正常發(fā)光時的正向電流值。在實際使用中應(yīng)根據(jù)需要選擇IF在0.6·IFm以下。
2.正向工作電壓VF：
參數(shù)表中給出的工作電壓是在給定的正向電流下得到的。一般是在IF=20mA時測得的。發(fā)光二體正向工作電壓VF在1.4～3V。在外界溫度升高時，VF將下降。
3.LED芯片V-I特性：
發(fā)光二體的電壓與電流的關(guān)系，在正向電壓正小于某一值(叫閾值)時，電流小，不發(fā)光。當(dāng)電壓超過某一值后，正向電流隨電壓迅速增加，發(fā)光。
4.發(fā)光強度IV：
發(fā)光二體的發(fā)光強度通常是指法線(對圓柱形發(fā)光管是指其軸線)方向上的發(fā)光強度。若在該方向上輻射強度為(1/683)W/sr時，則發(fā)光1坎德拉(符號為cd)。由于一般LED的發(fā)光二管強度小，所以發(fā)光強度常用燭光(坎德拉,mcd)作單位。
5.LED的發(fā)光角度：
-90°-+90°
6.LED芯片光譜半寬度Δλ:
它表示發(fā)光管的光譜純度。
7.半值角θ1/2和視角：
θ1/2是指發(fā)光強度值為軸向強度值一半的方向與發(fā)光軸向(法向)的夾角。
8.全形：
根據(jù)LED發(fā)光立體角換算出的角度，也叫平面角。
9.視角：
指LED發(fā)光的角度，根據(jù)視角不同，應(yīng)用也不同，也叫光強角。
10.半形：
法向0°與發(fā)光強度值/2之間的夾角。嚴格上來說，是發(fā)光強度值與發(fā)光強度值/2所對應(yīng)的夾角。LED的封裝技術(shù)導(dǎo)致發(fā)光角度并不是法向0°的光強值，引入偏差角，指得是發(fā)光強度對應(yīng)的角度與法向0°之間的夾角。
11.LED芯片正向直流電流IFm：
允許加的的正向直流電流。超過此值可損壞二體。
12.反向電壓VRm：
所允許加的反向電壓即擊穿電壓。超過此值，發(fā)光二體可能被擊穿損壞。
13.LED芯片工作環(huán)境topm:
發(fā)光二體可正常工作的環(huán)境溫度范圍。低于或高于此溫度范圍，發(fā)光二體將不能正常工作，效率大大降低。
14.允許功耗Pm:
允許加于LED兩端正向直流電壓與流過它的電流之積的值。超過此值，LED發(fā)熱、損壞。
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