LED防爆燈的封裝工藝有其自己的特點。對LED防爆燈封裝前首先要做的是控制原物料。因為許多場合需要戶外使用，環(huán)境條件往往比較惡劣，不是長期在高溫下工作就是 長期在低溫下工作，而且長期受雨水的腐蝕，如LED防爆燈的信賴度不是很好，很容易出現(xiàn)瞎點現(xiàn)象，所以注意對原物料品質的控制顯得尤其重要。

　　LED防爆燈芯片結構：

　　LED防爆燈芯片是半導體發(fā)光器件LED防爆燈的核心部件，它主要由砷（AS）、鋁（AL）、鎵（Ga）、銦（IN）、磷（P）、氮（N）、鍶（Ｓi）這幾種元素中的若干種組成。

　　芯片按發(fā)光亮度分類可分為：

　　一般亮度：R（紅色GAaAsP 655nm）、H （ 高紅GaP 697nm ）、G （ 綠色GaP 565nm ）、Y （ 黃色GaAsP/GaP 585nm ）、E（桔色GaAsP/ GaP 635nm ）等；

　　高亮度：VG （較亮綠色GaP 565nm ）、VY（較亮黃色 GaAsP/ GaP 585nm ）、SR（ 較亮紅色GaA/AS 660nm ）；

　　超高亮度：UG﹑UY﹑UR﹑UYS﹑URF﹑UE等。

　　芯片按組成元素可分為：

　　二元晶片（磷﹑鎵）：H﹑G等；

　　三元晶片（磷﹑鎵 ﹑砷）：SR（較亮紅色GaA/AS 660nm）、 HR （超亮紅色GaAlAs 660nm）、UR（亮紅色GaAlAs 660nm）等；

　　四元晶片（磷﹑鋁﹑鎵﹑銦）：SRF（ 較亮紅色 AlGalnP ）、HRF（超亮紅色 AlGalnP）、URF（亮紅色 AlGalnP 630nm）、VY（較亮黃色GaAsP/GaP 585nm）、HY（超亮黃色 AlGalnP 595nm）、UY（亮黃色 AlGalnP 595nm）、UYS（亮黃色 AlGalnP 587nm）、UE（亮桔色 AlGalnP 620nm）、HE（超亮桔色 AlGalnP 620nm）、UG （亮綠色 AIGalnP 574nm） LED等。

　　發(fā)光二管芯片制作方法和材料的磊晶種類：

　　1、LPE：液相磊晶法 GaP/GaP；

　　2、VPE：氣相磊晶法 GaAsP/GaAs；

　　3、MOVPE：有機金屬氣相磊晶法） AlGaInP、GaN；

　　4、SH：單異型結構 GaAlAs/GaAs；

　　5、DH：雙異型結構 GaAlAs/GaAs；

　　6、DDH：雙異型結構 GaAlAs/GaAlAs。

　　不同LED防爆燈芯片，其結構大同小異，有外延用的芯片基板（ 藍寶石基板、碳化硅基板等） 和摻雜的外延半導體材料及透明金屬電等構成。

　　LED防爆燈單電芯片

　　LED防爆燈晶粒種類簡介

　　LED襯底材料的種類

　　對于制作LED芯片來說，襯底材料的選用是首要考慮的問題。應該采用哪種合適的襯底，需要根據(jù)設備和LED器件的要求進行選擇。三種襯底材料：藍寶石（Al2O3）、硅 （Si）、碳化硅（SiC）。

　　一、藍寶石襯底

　　藍寶石襯底有許多的優(yōu)點：1.生產技術成熟、器件質量較好，2.穩(wěn)定性很好，能夠運用在高溫生長過程中，3.機械強度高，易于處理和清洗。

　　藍寶石襯底存在的問題：1.晶格失配和熱應力失配，會在外延層中產生大量缺陷；2.藍寶石是一種絕緣體，在上表面制作兩個電，造成了有效發(fā)光面積減 少；3.增加了光刻、蝕刻工藝過程，制作成本高。藍寶石的硬度非常高， 在自然材料中其硬度僅次于金剛石， 但是在LED器件的制作過程中卻需要對它進行減薄和切割（從400nm減到100nm左右）。添置完成減薄和切割工藝的設備又要增加一筆較大的投資。藍寶 石襯底導熱性能不是很好（在100℃約為25W/m·K） ，制作大功率LED往往采用倒裝技術（把藍寶石襯底剝離或減?。?。

　　二、硅襯底

　　硅是熱的良導體，所以器件的導熱性能可以明顯改善，從而延長了器件的壽命。硅襯底芯片電采用兩種接觸方式： V接觸（垂直接觸） 、L接觸（水平接觸） 。

　　三、碳化硅襯底

　　碳化硅襯底（CREE公司專門采用SiC材料作為襯底）的LED芯片，電是L型電，電流是縱向流動的。采用這種襯底制作的器件的導電和導熱性能都非常好，有利于做成面積較大的大功率器件。

　　優(yōu)點：碳化硅的導熱系數(shù)為490W/m·K，要比藍寶石襯底高出10倍以上。

　　缺點：碳化硅制造成本較高，實現(xiàn)其商業(yè)化還需要降低相應的成本。

　　LED防爆燈除了以上三種常用的襯底材料之外，還有GaAS、AlN、ZnO等材料也可作為襯底，通常根據(jù)設計的需要選擇使用。