LED防爆燈的封裝工藝有其自己的特點(diǎn)。對(duì)LED防爆燈封裝前首先要做的是控制原物料。因?yàn)樵S多場(chǎng)合需要戶外使用，環(huán)境條件往往比較惡劣，不是長(zhǎng)期在高溫下工作就是 長(zhǎng)期在低溫下工作，而且長(zhǎng)期受雨水的腐蝕，如LED防爆燈的信賴度不是很好，很容易出現(xiàn)瞎點(diǎn)現(xiàn)象，所以注意對(duì)原物料品質(zhì)的控制顯得尤其重要。
LED防爆燈芯片結(jié)構(gòu)：
LED防爆燈芯片是半導(dǎo)體發(fā)光器件LED防爆燈的核心部件，它主要由砷（AS）、鋁（AL）、鎵（Ga）、銦（IN）、磷（P）、氮（N）、鍶（Ｓi）這幾種元素中的若干種組成。
芯片按發(fā)光亮度分類(lèi)可分為：
一般亮度：R（紅色GAaAsP 655nm）、H （ 高紅GaP 697nm ）、G （ 綠色GaP 565nm ）、Y （ 黃色GaAsP/GaP 585nm ）、E（桔色GaAsP/ GaP 635nm ）等；
高亮度：VG （較亮綠色GaP 565nm ）、VY（較亮黃色 GaAsP/ GaP 585nm ）、SR（ 較亮紅色GaA/AS 660nm ）；
超高亮度：UG﹑UY﹑UR﹑UYS﹑URF﹑UE等。
芯片按組成元素可分為：
二元晶片（磷﹑鎵）：H﹑G等；
三元晶片（磷﹑鎵 ﹑砷）：SR（較亮紅色GaA/AS 660nm）、 HR （超亮紅色GaAlAs 660nm）、UR（亮紅色GaAlAs 660nm）等；
四元晶片（磷﹑鋁﹑鎵﹑銦）：SRF（ 較亮紅色 AlGalnP ）、HRF（超亮紅色 AlGalnP）、URF（亮紅色 AlGalnP 630nm）、VY（較亮黃色GaAsP/GaP 585nm）、HY（超亮黃色 AlGalnP 595nm）、UY（亮黃色 AlGalnP 595nm）、UYS（亮黃色 AlGalnP 587nm）、UE（亮桔色 AlGalnP 620nm）、HE（超亮桔色 AlGalnP 620nm）、UG （亮綠色 AIGalnP 574nm） LED等。
發(fā)光二管芯片制作方法和材料的磊晶種類(lèi)：
1、LPE：液相磊晶法 GaP/GaP；
2、VPE：氣相磊晶法 GaAsP/GaAs；
3、MOVPE：有機(jī)金屬氣相磊晶法） AlGaInP、GaN；
4、SH：?jiǎn)萎愋徒Y(jié)構(gòu) GaAlAs/GaAs；
5、DH：雙異型結(jié)構(gòu) GaAlAs/GaAs；
6、DDH：雙異型結(jié)構(gòu) GaAlAs/GaAlAs。
不同LED防爆燈芯片，其結(jié)構(gòu)大同小異，有外延用的芯片基板（ 藍(lán)寶石基板、碳化硅基板等） 和摻雜的外延半導(dǎo)體材料及透明金屬電等構(gòu)成。
LED防爆燈單電芯片
LED防爆燈晶粒種類(lèi)簡(jiǎn)介
LED襯底材料的種類(lèi)
對(duì)于制作LED芯片來(lái)說(shuō)，襯底材料的選用是首要考慮的問(wèn)題。應(yīng)該采用哪種合適的襯底，需要根據(jù)設(shè)備和LED器件的要求進(jìn)行選擇。三種襯底材料：藍(lán)寶石（Al2O3）、硅 （Si）、碳化硅（SiC）。
一、藍(lán)寶石襯底
藍(lán)寶石襯底有許多的優(yōu)點(diǎn)：1.生產(chǎn)技術(shù)成熟、器件質(zhì)量較好，2.穩(wěn)定性很好，能夠運(yùn)用在高溫生長(zhǎng)過(guò)程中，3.機(jī)械強(qiáng)度高，易于處理和清洗。
藍(lán)寶石襯底存在的問(wèn)題：1.晶格失配和熱應(yīng)力失配，會(huì)在外延層中產(chǎn)生大量缺陷；2.藍(lán)寶石是一種絕緣體，在上表面制作兩個(gè)電，造成了有效發(fā)光面積減 少；3.增加了光刻、蝕刻工藝過(guò)程，制作成本高。藍(lán)寶石的硬度非常高， 在自然材料中其硬度僅次于金剛石， 但是在LED器件的制作過(guò)程中卻需要對(duì)它進(jìn)行減薄和切割（從400nm減到100nm左右）。添置完成減薄和切割工藝的設(shè)備又要增加一筆較大的投資。藍(lán)寶 石襯底導(dǎo)熱性能不是很好（在100℃約為25W/m·K） ，制作大功率LED往往采用倒裝技術(shù)（把藍(lán)寶石襯底剝離或減?。?。
二、硅襯底
硅是熱的良導(dǎo)體，所以器件的導(dǎo)熱性能可以明顯改善，從而延長(zhǎng)了器件的壽命。硅襯底芯片電采用兩種接觸方式： V接觸（垂直接觸） 、L接觸（水平接觸） 。
三、碳化硅襯底
碳化硅襯底（CREE公司專門(mén)采用SiC材料作為襯底）的LED芯片，電是L型電，電流是縱向流動(dòng)的。采用這種襯底制作的器件的導(dǎo)電和導(dǎo)熱性能都非常好，有利于做成面積較大的大功率器件。
優(yōu)點(diǎn)：碳化硅的導(dǎo)熱系數(shù)為490W/m·K，要比藍(lán)寶石襯底高出10倍以上。
缺點(diǎn)：碳化硅制造成本較高，實(shí)現(xiàn)其商業(yè)化還需要降低相應(yīng)的成本。
LED防爆燈除了以上三種常用的襯底材料之外，還有GaAS、AlN、ZnO等材料也可作為襯底，通常根據(jù)設(shè)計(jì)的需要選擇使用。
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