廣州市金矢電子有限公司

產(chǎn)品概述：

        KSDZ-T系列智能晶閘管（可控硅）電容投切開關(guān)是用于電力電容器快速投切的功率器件，即TSC動(dòng)態(tài)投切開關(guān)。該系列產(chǎn)品，采用了雙過零等電位檢測、低能耗強(qiáng)觸發(fā)等多項(xiàng)核心發(fā)明專利技術(shù)和智能控制技術(shù)，其充分利用軟硬件結(jié)合的優(yōu)勢(shì)，具有電壓過零檢測投入快而準(zhǔn)確、電流過零分?jǐn)?、?dǎo)通性能好、響應(yīng)速度快、保護(hù)功能齊全等特點(diǎn)，保證電容投切開關(guān)及負(fù)載電容工作時(shí)的長期安全與穩(wěn)定。適用對(duì)電網(wǎng)功率因數(shù)的快速動(dòng)態(tài)補(bǔ)償及諧波治理電容的頻繁投切。

型號(hào)及含義：

產(chǎn)品功能特點(diǎn)：

1、高速SOC(SYSTEM ON CHIP)微處理器，無觸點(diǎn)溫度控制、過壓欠壓檢測、相序控制；PWM 驅(qū)動(dòng)輸出、脈沖變壓器低能耗強(qiáng)觸發(fā)技術(shù)，頻率和占空比高、導(dǎo)通性能線性好；雙過零等電位檢測技術(shù)，具有電壓過零點(diǎn)檢測投入準(zhǔn)確、投切速度快、無浪涌沖擊電流、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)。
2、自帶瞬態(tài)過電壓保護(hù)電路；光電隔離及上電復(fù)位技術(shù)，系統(tǒng)不死機(jī)、抗干擾能力強(qiáng)，高EMC 保護(hù)措施。
3、本產(chǎn)品控制電路無任何機(jī)械觸點(diǎn)設(shè)計(jì)，具有極高的操作頻率、無限操作次數(shù)的使用電壽命及工作牢靠性。
4、全鋁殼體，超大型散熱器，可以保證散熱風(fēng)扇工作極短時(shí)間也能保持良好的散熱性能，這大大提高風(fēng)扇（本產(chǎn)品風(fēng)扇采用滾珠軸承）的工作壽命及減少開關(guān)本身的積塵，電路采用工業(yè)級(jí)耐高溫優(yōu)質(zhì)電子元器件，高品質(zhì)功率模塊，電路板采用環(huán)氧灌封或浸漬絕緣處理，能耗僅為一瓦，電路的設(shè)計(jì)壽命大于10萬小時(shí)。
注：以上產(chǎn)品在具體型號(hào)規(guī)格上功能會(huì)有所不同，以該產(chǎn)品說明書為準(zhǔn)。

安裝使用條件：

◆ 工作溫度 -25～45℃
◆ 相對(duì)濕度 0～95%，無凝露
◆ 儲(chǔ)存運(yùn)輸溫度 -30～85℃
◆ 禁止在有破壞線路絕緣或爆炸危險(xiǎn)的氣體或其他介質(zhì)環(huán)境中使用
◆ 電柜需風(fēng)扇通風(fēng)散熱

晶閘管開關(guān)選型表：

   注：單極都帶有智能口設(shè)計(jì)，不僅可以用于控制單向負(fù)載，也可以方便自由組合用于控制三相負(fù)載。
 

注意事項(xiàng)：

① 建議負(fù)載電容選用優(yōu)質(zhì)電力電容并串聯(lián)電抗，因?yàn)槿魏我淮呜?fù)載電容的擊穿自愈對(duì)半導(dǎo)體開關(guān)來說可能會(huì)造成不可逆的損壞,在諧波量極大，環(huán)境溫度高、經(jīng)常出現(xiàn)過流、過電壓或電容失效快的場合應(yīng)在選用開關(guān)時(shí)需留有較大裕量，以晶閘管開關(guān)最大投切負(fù)荷量的1/2或1/3選型為宜。
② 單相使用分補(bǔ)開關(guān)，需確保電容器零線接好，否則將造成開關(guān)承載過高電壓。
③ 對(duì)電容投切不是很頻繁的場合，平均每分鐘不超過一次的，也可選用本公司U系列復(fù)合接觸器。
④ 晶閘管開關(guān)的前端面保護(hù)建議采用額定工作電流為1.6-2倍于負(fù)載電容工作電流的快速熔斷體。

使用接線圖：

（注：電抗器根據(jù)需要選用）